型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
H7N1005DS

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS (on) = 85 mΩ typ. • Low drive current • Capable of 4.5 V gate drive

RENESAS

瑞萨

H7N1005DS

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

H7N1005DS

Power MOSFETs

RENESAS

瑞萨

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS (on) = 85 mΩ typ. • Low drive current • Capable of 4.5 V gate drive

RENESAS

瑞萨

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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RENESAS

瑞萨

H7N1005DS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    H7N1005DS

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

更新时间:2025-10-18 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
24+
NA/
5000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
RENESAS/瑞萨
22+
TO-252
100000
代理渠道/只做原装/可含税
RENESAS
20+
TO-252
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
RENESAS
1932+
TO-252
1221
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS/瑞萨
2450+
TO252
6540
只做原厂原装正品终端客户免费申请样品
VBsemi
24+
TO252
9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
RENESAS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
RENESAS
23+
TO-252
8000
只做原装现货
RENESAS
23+
TO-252
7000
RENESAS
24+
TO-252
16900
原装正品现货支持实单

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