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H7N1005DS

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS (on) = 85 mΩ typ. • Low drive current • Capable of 4.5 V gate drive

RENESAS

瑞萨

H7N1005DS

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

H7N1005DS

Power MOSFETs

RENESAS

瑞萨

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS (on) = 85 mΩ typ. • Low drive current • Capable of 4.5 V gate drive

RENESAS

瑞萨

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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RENESAS

瑞萨

H7N1005DS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    H7N1005DS

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

更新时间:2026-3-3 9:56:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
25+
TO-252
37650
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
RenesasEl
2022+
1500
全新原装 货期两周
RENESAS
1932+
TO-252
1221
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
VBSEMI/台湾微碧
23+
TO-252
50000
全新原装正品现货,支持订货
NEC
26+
原厂原封装
86720
全新原装正品价格最实惠 假一赔百
VBsemi/台湾微碧
22+
TO-252
20000
公司只做原装 品质保障
RENESAS/瑞萨
新年份
TO-252
64540
一级代理原装正品现货,支持实单!
VBsemi
24+
TO252
9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
RENESAS
TO-252
30216
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S
NEC
23+
TO-252
50659
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术

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