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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
H7N1005DS | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 85 mΩ typ. • Low drive current • Capable of 4.5 V gate drive | RENESAS 瑞萨 |   | |
H7N1005DS | N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：4.88409 Mbytes Page：4 Pages | DOINGTER 杜因特 | | |
H7N1005DS | Power MOSFETs | RENESAS 瑞萨 | | |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 85 mΩ typ. • Low drive current • Capable of 4.5 V gate drive | RENESAS 瑞萨 | | ||
N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.17868 Mbytes Page：4 Pages | DOINGTER 杜因特 | | ||
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：125.81 Kbytes Page：9 Pages | RENESAS 瑞萨 | |
H7N1005DS产品属性
- 类型
描述
- 型号
H7N1005DS
- 制造商
Renesas Electronics Corporation
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
23+ |
TO-252 |
50659 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
|||
VBSEMI/台湾微碧 |
23+ |
TO-252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
VBsemi/台湾微碧 |
22+ |
TO-252 |
20000 |
公司只做原装 品质保障 |
|||
RENESAS |
26+ |
TO-252 |
360000 |
进口原装现货 |
|||
VBsemi |
24+ |
TO252 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
|||
NEC |
25+ |
原厂原封装 |
86720 |
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔 |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252 |
986966 |
国产 |
|||
RENESAS |
24+ |
TO-252 |
16900 |
原装正品现货支持实单 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
新年份 |
TO-252 |
64540 |
一级代理原装正品现货,支持实单! |
|||
RENESAS |
25+ |
TO-252 |
37650 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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