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H7N1005DL

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS (on) = 85 mΩ typ. • Low drive current • Capable of 4.5 V gate drive

RENESAS

瑞萨

H7N1005DL

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

H7N1005DL

Power MOSFETs

RENESAS

瑞萨

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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瑞萨

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS (on) = 85 mΩ typ. • Low drive current • Capable of 4.5 V gate drive

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N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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瑞萨

更新时间:2025-10-18 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
24+
NA/
12400
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
RENESAS/瑞萨
22+
TO-251
100000
代理渠道/只做原装/可含税
RENESAS
20+
TO-252
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
VBsemi
21+
TO251
10026
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS/瑞萨
2450+
TO252
6540
只做原厂原装正品终端客户免费申请样品
RENESAS
23+
TO-252
10065
原装正品,有挂有货,假一赔十
RENESAS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
RENESAS
23+
TO-252
7000
RENESAS
24+
TO-252
16900
原装正品现货支持实单
NEC
23+
TO-252
47517
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术

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