型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.075Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching.

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.075 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:941.18 Kbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.075 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET

文件:115.18 Kbytes Page:11 Pages

RENESAS

瑞萨

2SJ550(S)(TL-E)产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ550(S)(TL-E)

  • 制造商

    Renesas Electronics

  • 功能描述

    Cut Tape

  • 制造商

    Renesas

  • 功能描述

    Trans MOSFET P-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) LDPAK(S)-(1) T/R

更新时间:2025-10-11 8:02:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
22+
SOT-263
100000
代理渠道/只做原装/可含税
RENESAS
2023+
TO-263
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
Renesas(瑞萨)
24+
标准封装
57048
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
HITACHI/日立
24+
NA/
3852
原装现货,当天可交货,原型号开票
RENESAS/瑞萨
25+
TO-263
54648
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价
HITACHI
03+
TO-263
497
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS
23+
TO263
7850
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
RENESAS
20+
TO-263
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
RENESAS
2024
TO-263
58209
16余年资质 绝对原盒原盘代理渠道 更多数量
RENESAS
2511
TO-263
435
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价

2SJ550(S)(TL-E)芯片相关品牌

2SJ550(S)(TL-E)数据表相关新闻