型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SJ550L

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.075Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching.

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SJ550L

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.075 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

2SJ550L

Power MOSFETs

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.075Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching.

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.075 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.075 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET

文件:115.18 Kbytes Page:11 Pages

RENESAS

瑞萨

2SJ550L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ550L

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon P Channel MOS FET

更新时间:2025-10-11 10:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
R
24+
TO-263
5000
只做原装公司现货
HITACHI/日立
2024
TO-262
500203
16余年资质 绝对原盒原盘代理渠道 更多数量
24+
N/A
67000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
NEC
2022+
12888
原厂代理 终端免费提供样品
NK/南科功率
2025+
TO-263
986966
国产
RENESAS
1922+
SOT-262
35689
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货
RENESAS/瑞萨
2023+
TO-263
2087
原厂全新正品旗舰店优势现货
RENESAS
21+
TO-252
10
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS
23+
TO-263
2935
原厂原装正品
RENESAS/瑞萨
25+
TO-263
54648
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价

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