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Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.065 Ωtyp. (at VGS = –10V, ID= –5A) • Low drive current • High speed switching • 4V gate drive devices.

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET

* Low on-resistance RDS(on)= 0.065 Ωtyp. (at V GS = –10V, ID= –5A) * Low drive current * High speed switching * 4V gate drive devices.

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET

* Low on-resistance RDS(on)= 0.065 Ωtyp. (at V GS = –10V, ID= –5A) * Low drive current * High speed switching * 4V gate drive devices.

RENESAS

瑞萨

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.01578 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.065 Ωtyp. (at VGS = –10V, ID= –5A) • Low drive current • High speed switching • 4V gate drive devices.

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET

* Low on-resistance RDS(on)= 0.065 Ωtyp. (at V GS = –10V, ID= –5A) * Low drive current * High speed switching * 4V gate drive devices.

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET

文件:108.68 Kbytes Page:10 Pages

RENESAS

瑞萨

2SJ506STL产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ506STL

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon P Channel MOS FET

更新时间:2025-12-26 15:12:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
25+
TO252
3000
原厂原装,价格优势
HITACHI
2023+
TO-252
50000
原装现货
RENESAS/瑞萨
2450+
SOT252
8850
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
RENESAS
22+
TO252
20000
公司只有原装 品质保证
HITACHI/日立
23+
SOT252
8000
只做原装现货
HITACHI/日立
23+
SOT252
7000
RENESAS/瑞萨
2447
SOT252
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
日立
24+
TO-251
5000
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
tosh
25+
500000
行业低价,代理渠道
RENESAS/瑞萨
23+
SOT252
51395
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详

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