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Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.065 Ωtyp. (at VGS = –10V, ID= –5A) • Low drive current • High speed switching • 4V gate drive devices.

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.065 Ωtyp. (at VGS = –10V, ID= –5A) • Low drive current • High speed switching • 4V gate drive devices.

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET

* Low on-resistance RDS(on)= 0.065 Ωtyp. (at V GS = –10V, ID= –5A) * Low drive current * High speed switching * 4V gate drive devices.

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET

* Low on-resistance RDS(on)= 0.065 Ωtyp. (at V GS = –10V, ID= –5A) * Low drive current * High speed switching * 4V gate drive devices.

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET

* Low on-resistance RDS(on)= 0.065 Ωtyp. (at V GS = –10V, ID= –5A) * Low drive current * High speed switching * 4V gate drive devices.

RENESAS

瑞萨

2SJ506S-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ506S-E

  • 制造商

    Renesas Electronics

  • 功能描述

    Trans MOSFET P-CH 30V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK(S)-(2)

  • 制造商

    Renesas

  • 功能描述

    Trans MOSFET P-CH 30V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK(S)-(2)

更新时间:2026-3-18 23:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Renesas(瑞萨)
24+
标准封装
7948
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
RENESAS/瑞萨
25+
TO-252
32360
RENESAS/瑞萨全新特价2SJ506STR-E即刻询购立享优惠#长期有货
RENESAS
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SOT252
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS/瑞萨
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
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原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
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360000
进口原装现货
RENESAS/瑞萨
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原装正品现货,实单带TP来谈!
RenesasElectronicsCorpor
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专做原装正品,假一罚百!
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9800
原装进口公司现货假一赔百
RENESAS
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TO252
20000
公司只有原装 品质保证

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