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Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.065 Ωtyp. (at VGS = –10V, ID= –5A) • Low drive current • High speed switching • 4V gate drive devices.

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET

* Low on-resistance RDS(on)= 0.065 Ωtyp. (at V GS = –10V, ID= –5A) * Low drive current * High speed switching * 4V gate drive devices.

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET

* Low on-resistance RDS(on)= 0.065 Ωtyp. (at V GS = –10V, ID= –5A) * Low drive current * High speed switching * 4V gate drive devices.

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.065 Ωtyp. (at VGS = –10V, ID= –5A) • Low drive current • High speed switching • 4V gate drive devices.

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET

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RENESAS

瑞萨

2SJ506S-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ506S-E

  • 制造商

    Renesas Electronics

  • 功能描述

    Trans MOSFET P-CH 30V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK(S)-(2)

  • 制造商

    Renesas

  • 功能描述

    Trans MOSFET P-CH 30V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK(S)-(2)

更新时间:2026-1-27 19:06:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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