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位置：首页 > IC中文资料第446页 > 2SB1386

2SB1386晶体管资料

  • 2SB1386别名：2SB1386三极管、2SB1386晶体管、2SB1386晶体三极管

  • 2SB1386生产厂家：TOY

  • 2SB1386制作材料：Si-PNP

  • 2SB1386性质：表面帖装型 （SMD）

  • 2SB1386封装形式：直插封装

  • 2SB1386极限工作电压：30V

  • 2SB1386最大电流允许值：5A

  • 2SB1386最大工作频率：120MHZ

  • 2SB1386引脚数：3

  • 2SB1386最大耗散功率：0.75W

  • 2SB1386放大倍数：

  • 2SB1386图片代号：H-100

  • 2SB1386vtest：30

  • 2SB1386htest：120000000

  • 2SB1386atest：5

  • 2SB1386wtest：0.75

  • 2SB1386代换 2SB1386用什么型号代替：2SB1302,2SB1308,

2SB1386价格

参考价格：￥0.7403

型号：2SB1386T100Q 品牌：Rohm 备注：这里有2SB1386多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SB1386批发/采购报价，2SB1386行情走势销售排行榜，2SB1386报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SB1386

LowFrequencyTransistor(-20V,-5A)

Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A) 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SD2098/2SD2118/2SD2097/2SD2166.

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1386

EpitaxialPlanarTransistorPNPSilicon

EpitaxialPlanarTransistor PNPSilicon

WEITRON

Weitron Technology

WEITRON
2SB1386

LOWFREQUENCYPNPTRANSISTOR

■FEATURES *ExcellentDCcurrentgaincharacteristics *LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1386

LowFrequencyTransistor

Features ●LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A) ●ExcellentDCcurrentgain ●Epitaxialplanartype ●PNPsilicontransistor

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SB1386

PNPSiliconLowFrequencyTransistor

FEATURES ●LowVCE(sat) ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics ●Complementsthe2SD2098

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS
2SB1386

TRANSISTOR(PNP)

FEATURES ●Lowcollectorsaturationvoltage, ●Execllentcurrent-to-gaincharacteristics

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司

HTSEMI
2SB1386

SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Lowcollectorsaturationvoltage ●Execllentcurrent-to-gaincharacteristics

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

长电科技江苏长电科技股份有限公司

JIANGSU
2SB1386

Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES •Lowcollectorsaturationvoltage, •Execllentcurrent-to-gaincharacteristics

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰电子有限公司

HOTTECH
2SB1386

SOT-89Plastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Lowcollectorsaturationvoltage ●Execllentcurrent-to-gaincharacteristics ●Pb-Freepackageisavailable RoHSproductforpackingcodesuffixG HalogenfreeproductforpackingcodesuffixH

WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP

威伦威伦电子股份有限公司

WILLAS
2SB1386

SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage

Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features LowVCE(sat),excellentDCcurrentgain,complementsthe2SD2098. Applications Generalpoweramplifierapplications.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN
2SB1386

Lowcollectorsaturationvoltage

FEATURES ●Lowcollectorsaturationvoltage ●Execllentcurrent-to-gaincharacteristics

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司

LEIDITECH
2SB1386

PNPTransistors

Features ●LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A) ●ExcellentDCcurrentgain ●Epitaxialplanartype ●PNPsilicontransistor

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑风微电子广东佑风微电子有限公司

YFWDIODE
2SB1386

PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES ●LowVCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A). ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. ●Complementary:2SD2098. APPLICATIONS ●Lowfrequencytransistor.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN
2SB1386

PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES LowVCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A). ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. Complementary:2SD2098. APPLICATIONS Lowfrequencytransistor.

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

DGNJDZ
2SB1386

SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors

FEATURES Lowcollectorsaturationvoltage Execllentcurrent-to-gaincharacteristics

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

DGNJDZ
2SB1386

PNPSiliconLowFrequencyTransistor

文件：512.83 Kbytes Page：3 Pages

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS
2SB1386

LOWFREQUENCYPNPTRANSISTOR

文件：178.8 Kbytes Page：5 Pages

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1386

Lowfrequencytransistor(−20V,−5A)

文件：139.65 Kbytes Page：5 Pages

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1386_V01

SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors

FEATURES Lowcollectorsaturationvoltage Execllentcurrent-to-gaincharacteristics

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

DGNJDZ
2SB1386L-P-AB3-B-R

LOWFREQUENCYPNPTRANSISTOR

■FEATURES *ExcellentDCcurrentgaincharacteristics *LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1386L-P-AB3-C-R

LOWFREQUENCYPNPTRANSISTOR

■FEATURES *ExcellentDCcurrentgaincharacteristics *LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1386L-P-AB3-E-R

LOWFREQUENCYPNPTRANSISTOR

■FEATURES *ExcellentDCcurrentgaincharacteristics *LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1386L-Q-AB3-B-R

LOWFREQUENCYPNPTRANSISTOR

■FEATURES *ExcellentDCcurrentgaincharacteristics *LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1386L-Q-AB3-C-R

LOWFREQUENCYPNPTRANSISTOR

■FEATURES *ExcellentDCcurrentgaincharacteristics *LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1386L-Q-AB3-E-R

LOWFREQUENCYPNPTRANSISTOR

■FEATURES *ExcellentDCcurrentgaincharacteristics *LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1386L-R-AB3-B-R

LOWFREQUENCYPNPTRANSISTOR

■FEATURES *ExcellentDCcurrentgaincharacteristics *LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1386L-R-AB3-C-R

LOWFREQUENCYPNPTRANSISTOR

■FEATURES *ExcellentDCcurrentgaincharacteristics *LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1386L-R-AB3-E-R

LOWFREQUENCYPNPTRANSISTOR

■FEATURES *ExcellentDCcurrentgaincharacteristics *LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1386L-X-AB3-F-R

LOWFREQUENCYPNPTRANSISTOR

■FEATURES *ExcellentDCcurrentgaincharacteristics *LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1386-P

PNPTransistors

Features ●LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A) ●ExcellentDCcurrentgain ●Epitaxialplanartype ●PNPsilicontransistor

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑风微电子广东佑风微电子有限公司

YFWDIODE
2SB1386-P

PNPSiliconEpitaxialTransistors

Features •LowCollectorSaturationVoltage •Execllentcurrent-to-gaincharacteristics •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableupon

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC
2SB1386-P-AB3-B-R

LOWFREQUENCYPNPTRANSISTOR

■FEATURES *ExcellentDCcurrentgaincharacteristics *LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1386-P-AB3-C-R

LOWFREQUENCYPNPTRANSISTOR

■FEATURES *ExcellentDCcurrentgaincharacteristics *LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1386-P-AB3-E-R

LOWFREQUENCYPNPTRANSISTOR

■FEATURES *ExcellentDCcurrentgaincharacteristics *LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1386PPT

PNPEpitaxialTransistor

VOLTAGE20VoltsCURRENT5Amperes FEATURE *Smallflatpackage.(DPAK) *LowsaturationvoltageVCE(sat)=-0.35V(Typ.)(IC/IB=-4A/-0.1A) *Highsaturationcurrentcapability. APPLICATION *PowerdriverandStrobeFlash.

CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD.

力勤力勤股份有限公司

CHENMKO
2SB1386PT

PNPEpitaxialTransistor

VOLTAGE20VoltsCURRENT5Amperes FEATURE *Smallflatpackage.(SC-62/SOT-89) *LowsaturationvoltageVCE(sat)=-0.35V(Typ.)(IC/IB=-4A/-0.1A) *PC=2.0W(mountedonceramicsubstrate). *Highsaturationcurrentcapability. APPLICATION *PowerdriverandStrobeFlash

CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD.

力勤力勤股份有限公司

CHENMKO
2SB1386-Q

PNPSiliconEpitaxialTransistors

Features •LowCollectorSaturationVoltage •Execllentcurrent-to-gaincharacteristics •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableupon

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC
2SB1386-Q

PNPTransistors

Features ●LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A) ●ExcellentDCcurrentgain ●Epitaxialplanartype ●PNPsilicontransistor

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑风微电子广东佑风微电子有限公司

YFWDIODE
2SB1386-Q-AB3-B-R

LOWFREQUENCYPNPTRANSISTOR

■FEATURES *ExcellentDCcurrentgaincharacteristics *LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1386-Q-AB3-C-R

LOWFREQUENCYPNPTRANSISTOR

■FEATURES *ExcellentDCcurrentgaincharacteristics *LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1386-Q-AB3-E-R

LOWFREQUENCYPNPTRANSISTOR

■FEATURES *ExcellentDCcurrentgaincharacteristics *LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1386-R

PNPSiliconEpitaxialTransistors

Features •LowCollectorSaturationVoltage •Execllentcurrent-to-gaincharacteristics •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableupon

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC
2SB1386-R

PNPTransistors

Features ●LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A) ●ExcellentDCcurrentgain ●Epitaxialplanartype ●PNPsilicontransistor

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑风微电子广东佑风微电子有限公司

YFWDIODE
2SB1386-R-AB3-B-R

LOWFREQUENCYPNPTRANSISTOR

■FEATURES *ExcellentDCcurrentgaincharacteristics *LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1386-R-AB3-C-R

LOWFREQUENCYPNPTRANSISTOR

■FEATURES *ExcellentDCcurrentgaincharacteristics *LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1386-R-AB3-E-R

LOWFREQUENCYPNPTRANSISTOR

■FEATURES *ExcellentDCcurrentgaincharacteristics *LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1386T100Q

Lowfrequencytransistor(??0V,??A)

Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A) 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SD2098/2SD2118/2SD2097/2SD2166.

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1386T100R

Lowfrequencytransistor(??0V,??A)

Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A) 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SD2098/2SD2118/2SD2097/2SD2166.

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1386-X-AB3-F-R

LOWFREQUENCYPNPTRANSISTOR

■FEATURES *ExcellentDCcurrentgaincharacteristics *LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1386_05

PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR

文件：232.23 Kbytes Page：4 Pages

WEITRON

Weitron Technology

WEITRON
2SB1386_1

Lowfrequencytransistor(−20V,−5A)

文件：139.65 Kbytes Page：5 Pages

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SB1386_10

LOWFREQUENCYPNPTRANSISTOR

文件：178.8 Kbytes Page：5 Pages

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1386_10

PNPSiliconLowFrequencyTransistor

文件：512.83 Kbytes Page：3 Pages

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS
2SB1386_15

PNPTransistors

文件：1.51198 Mbytes Page：3 Pages

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SB1386_15

LOWFREQUENCYPNPTRANSISTOR

文件：215.22 Kbytes Page：5 Pages

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1386_15

PNPSiliconLowFrequencyTransistor

文件：512.83 Kbytes Page：3 Pages

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS
2SB1386G-X-AB3-R

LOWFREQUENCYPNPTRANSISTOR

文件：215.22 Kbytes Page：5 Pages

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1386G-X-AB3-R

LOWFREQUENCYPNPTRANSISTOR

文件：178.8 Kbytes Page：5 Pages

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1386L-X-AB3-R

LOWFREQUENCYPNPTRANSISTOR

文件：178.8 Kbytes Page：5 Pages

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2SB1386-P

PNPSiliconEpitaxialTransistors

文件：430.6 Kbytes Page：4 Pages

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC

2SB1386产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SB1386

  • 制造商

    Panasonic Industrial Company

  • 功能描述

    TRANSISTOR

2SB1386供应商更多...

更新时间：2025-6-15 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市纳艾斯科技有限公司
2SB1386R
ROHM
24+
SOT/89
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
询价
深圳市科芯源微电子有限公司
2SB1386
CJ/长晶
23+
SOT-89
100586
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
询价
深圳市金芯世纪电子有限公司
2SB1386T100R
ROHM/罗姆
22+
SOT89
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
深圳市华睿芯科技有限公司
2SB1386T100R
ROHM
24+
SOT89
20000
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！
询价
深圳市亿联芯电子科技有限公司
2SB1386-T100R
ROHM/罗姆
2023+
SOT89
6893
十五年行业诚信经营,专注全新正品
询价
深圳兆威电子有限公司
2SB1386T100R
ROHM
23+
SOT-89
999999
原装正品现货量大可订货
询价
深圳市汇莱威科技有限公司
2SB1386L-R-AB3-R
UTC
2024
SOT89
58209
16余年资质 绝对原盒原盘代理渠道 更多数量
询价
深圳市明嘉莱科技有限公司
2SB1386T100R
ROHM/罗姆
25+
NA
880000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
深圳市得捷芯城科技有限公司
2SB1386T100R
Rohm(罗姆)
24+
MPT3
22048
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
询价
深圳市华斯顿科技有限公司
2SB1386
ROHM
25+23+
SOT-89
14638
绝对原装正品全新进口深圳现货
询价

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2SB1386参数引脚图相关

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  • 2SB562L-TO92NLK-B-TG_UTC代理商

    2SB562L-TO92NLK-B-TG_UTC代理商

    2023-3-14

  • 2SA928AL-TO92NLB-Y-TG

    2SA928AL-TO92NLB-Y-TG

    2023-2-1

  • 2SA812-T1B-A/S6 原装正品现货

    支持实单价格优势有单必成

    2022-3-30

  • 2SB649 MOS

    www.jskj-ic.com

    2021-9-10

  • 2SA2198

    2SA2198，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-4-24

  • 2SB1386-P-PNP硅外延晶体管

    2SB1386-P:PNP硅外延晶体管的特点如下：·低集电极饱和电压·Execllent电流增益特性·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息）·环氧符合UL94V-0阻燃等级·Moisure敏感度等级12SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R是微型商业组件公司的产品型号

    2012-11-9

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