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2SB1386T100Q中文资料

厂家型号

2SB1386T100Q

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4

功能描述

Low frequency transistor (??0V,??A)

两极晶体管 - BJT PNP 20V 5A

数据手册

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生产厂商

ROHM

2SB1386T100Q数据手册规格书PDF详情

Features

1) Low VCE(sat).

VCE(sat) = -0.35V (Typ.)

(IC / IB = -4A / -0.1A)

2) Excellent DC current gain characteristics.

3) Complements the 2SD2098 / 2SD2118 / 2SD2097 / 2SD2166.

2SB1386T100Q产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SB1386T100Q

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT PNP 20V 5A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-10-10 14:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM/罗姆
25+
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2SB1386T100Q 价格

参考价格:¥0.7403

型号:2SB1386T100Q 品牌:Rohm 备注:这里有2SB1386T100Q多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,2SB1386T100Q批发/采购报价,2SB1386T100Q行情走势销售排排榜,2SB1386T100Q报价。