2SB1386T100R价格

参考价格:¥0.8884

型号:2SB1386T100R 品牌:Rohm 备注:这里有2SB1386T100R多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,2SB1386T100R批发/采购报价,2SB1386T100R行情走势销售排行榜,2SB1386T100R报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SB1386T100R

Low frequency transistor (??0V,??A)

Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.35V (Typ.) (IC / IB = -4A / -0.1A) 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SD2098 / 2SD2118 / 2SD2097 / 2SD2166.

ROHM

罗姆

2SB1386T100R

封装/外壳:TO-243AA 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRANS PNP 20V 5A MPT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ROHM

罗姆

2SB1386T100R

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 20V 5A

ROHM

罗姆

Low frequency transistor (??0V,??A)

Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.35V (Typ.) (IC / IB = -4A / -0.1A) 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SD2098 / 2SD2118 / 2SD2097 / 2SD2166.

ROHM

罗姆

2SB1386T100R产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SB1386T100R

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT PNP 20V 5A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-1-3 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM
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