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2SB1386T100R价格
参考价格：￥0.8884
型号：2SB1386T100R 品牌：Rohm 备注：这里有2SB1386T100R多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SB1386T100R批发/采购报价，2SB1386T100R行情走势销售排行榜，2SB1386T100R报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SB1386T100R | Low frequency transistor (??0V,??A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.35V (Typ.) (IC / IB = -4A / -0.1A) 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SD2098 / 2SD2118 / 2SD2097 / 2SD2166. | ROHM 罗姆 |   | |
2SB1386T100R | 封装/外壳：TO-243AA 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS PNP 20V 5A MPT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ETC 知名厂家 | ETC | |
Low frequency transistor (??0V,??A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.35V (Typ.) (IC / IB = -4A / -0.1A) 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SD2098 / 2SD2118 / 2SD2097 / 2SD2166. | ROHM 罗姆 | |
2SB1386T100R产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SB1386T100R
- 功能描述
两极晶体管 - BJT PNP 20V 5A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM |
24+ |
SOT89 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
|||
ROHM |
24+/25+ |
334 |
原装正品现货库存价优 |
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Rohm(罗姆) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
|||
ROHM/罗姆 |
24+ |
SOT-89 |
9000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
|||
ROHM/罗姆 |
21+ |
SOT89 |
48600 |
只做原装,假一罚十 |
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ROHM/罗姆 |
1950+ |
SOT89 |
4856 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
ROHM |
24+ |
SOT89 |
8000 |
原装进口热卖现货假一赔百 |
|||
ROHM |
23+ |
SOT-89 |
999999 |
原装正品现货量大可订货 |
|||
ROHM/罗姆 |
2024 |
SOT-89 |
505348 |
16余年资质 绝对原盒原盘代理渠道 更多数量 |
|||
ROHM/罗姆 |
23+ |
SOT-89 |
15000 |
全新原装现货,价格优势 |
2SB1386T100R规格书下载地址
2SB1386T100R参数引脚图相关
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支持实单 价格优势 有单必成
2022-3-302SB649 MOS
www.jskj-ic.com
2021-9-102SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9
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