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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业	LOGO
2SB1386-Q-AB3-E-R	LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR ■ FEATURES * Excellent DC current gain characteristics * Low VCE(SAT) VCE(SAT)= -0.35V (Typ) (IC/IB = -4A/-0.1A)	UTC 友顺	UTC
2SB1386-Q-AB3-B-R	LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR ■ FEATURES * Excellent DC current gain characteristics * Low VCE(SAT) VCE(SAT)= -0.35V (Typ) (IC/IB = -4A/-0.1A)	UTC 友顺	UTC
2SB1386-Q-AB3-C-R	LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR ■ FEATURES * Excellent DC current gain characteristics * Low VCE(SAT) VCE(SAT)= -0.35V (Typ) (IC/IB = -4A/-0.1A)	UTC 友顺	UTC

2SB1386-Q-AB3-E-R供应商更多...

更新时间：2025-8-7 16:30:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳中芯器材有限公司	2SB1386-R	Slkor(萨科微)	23+	SOT-89	570	三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	2SB1386-R	ROHM	23+	SOT89	11092		询价
深圳兆威电子有限公司	2SB1386-Q-TP-HF	MCC	23+	SOT-89	45000	原装正品现货	询价
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2SB562L-TO92NLK-B-TG_UTC代理商
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2023-3-14
2SB776L-TO252R-P-TG_UTC代理商
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2023-2-24
2SA928AL-TO92NLB-Y-TG
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2023-2-1
2SA812-T1B-A/S6 原装正品现货
支持实单价格优势有单必成
2022-3-30
2SB649 MOS
www.jskj-ic.com
2021-9-10
2SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9