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2SB1386-R	PNPSiliconEpitaxialTransistors Features •LowCollectorSaturationVoltage •Execllentcurrent-to-gaincharacteristics •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableupon	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司
2SB1386-R	PNPTransistors Features ●LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A) ●ExcellentDCcurrentgain ●Epitaxialplanartype ●PNPsilicontransistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司
2SB1386-R	PNPTransistors 文件：1.51198 Mbytes Page：3 Pages	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司
2SB1386-R	PNPSiliconEpitaxialTransistors 文件：430.6 Kbytes Page：4 Pages	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司
2SB1386	LOWFREQUENCYPNPTRANSISTOR ■FEATURES ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司
2SB1386	LowFrequencyTransistor(-20V,-5A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A) 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SD2098/2SD2118/2SD2097/2SD2166.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团
2SB1386	EpitaxialPlanarTransistorPNPSilicon EpitaxialPlanarTransistor PNPSilicon	WEITRON Weitron Technology
2SB1386	LowFrequencyTransistor Features ●LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.35V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A) ●ExcellentDCcurrentgain ●Epitaxialplanartype ●PNPsilicontransistor	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司
2SB1386	Lowfrequencytransistor(−20V,−5A) 文件：139.65 Kbytes Page：5 Pages	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团
2SB1386-R-AB3-B-R	LOWFREQUENCYPNPTRANSISTOR ■FEATURES ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司
2SB1386-R-AB3-C-R	LOWFREQUENCYPNPTRANSISTOR ■FEATURES ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司
2SB1386-R-AB3-E-R	LOWFREQUENCYPNPTRANSISTOR ■FEATURES ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LowVCE(SAT) VCE(SAT)=-0.35V(Typ) (IC/IB=-4A/-0.1A)	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司

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更新时间：2025-6-13 18:43:00

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2SB1386-P:PNP硅外延晶体管的特点如下：·低集电极饱和电压·Execllent电流增益特性·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息）·环氧符合UL94V-0阻燃等级·Moisure敏感度等级12SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9

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