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2SB1386T100Q价格
参考价格：￥0.7403
型号：2SB1386T100Q 品牌：Rohm 备注：这里有2SB1386T100Q多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SB1386T100Q批发/采购报价，2SB1386T100Q行情走势销售排行榜，2SB1386T100Q报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SB1386T100Q | Low frequency transistor (??0V,??A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.35V (Typ.) (IC / IB = -4A / -0.1A) 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SD2098 / 2SD2118 / 2SD2097 / 2SD2166. | ROHM 罗姆 |   | |
2SB1386T100Q | 封装/外壳：TO-243AA 包装：散装 描述：TRANS PNP 20V 5A MPT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ROHM 罗姆 | | |
2SB1386T100Q | TRANS PNP 20V 5A SOT-89 | ROHM 罗姆 | | |
Low frequency transistor (??0V,??A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.35V (Typ.) (IC / IB = -4A / -0.1A) 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SD2098 / 2SD2118 / 2SD2097 / 2SD2166. | ROHM 罗姆 | |
2SB1386T100Q产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SB1386T100Q
- 功能描述
两极晶体管 - BJT PNP 20V 5A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
24+ |
NA/ |
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SOT89 |
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SOT-89 |
100000 |
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支持实单 价格优势 有单必成
2022-3-302SB649 MOS
www.jskj-ic.com
2021-9-102SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9
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