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V20120S	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC • Haloge	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20120S	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20120S	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：162.33 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20120S	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：129.93 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20120S	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20120S_V01	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20120S-E3	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 2	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20120S-E3	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB,	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20120S-E3/4W	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC • Haloge	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20120S-E3_V01	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB,	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20120S-E3SLASH4W	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC • Haloge	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20120SG	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20120SG	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A Ultra Low VF= 0.54 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20120SG_V01	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20120SG-E3	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF= 0.54 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20120SG-E3/4W	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A Ultra Low VF= 0.54 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20120SG-E3SLASH4W	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A Ultra Low VF= 0.54 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20120S_11	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：129.93 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20120S_12	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：162.33 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20120S_15	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：124.47 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20120S-E3	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：150.35 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20120S-E3/ VF20120S-E3/ VB20120S-E3/ VI20120S-E3	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20120S-E3/4W	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：162.33 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20120S-E3_15	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：150.35 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20120S-E3SLASH4W	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：162.33 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20120SG	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20120SG	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：164.09 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20120SG	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：162.45 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20120SG	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：160.88 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20120SG	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：142.26 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20120SG_09	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：160.88 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20120SG_11	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：142.26 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20120SG_12	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：162.45 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20120SG_15	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：124.67 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20120SG_15	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：164.09 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20120SG-E3/4W	封装/外壳：TO-220-3 包装：管件描述：DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO220AB 分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单	ETC 知名厂家	ETC
V20120SG-E3/4W	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：162.45 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20120SG-E3-4W	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：160.88 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20120SG-E3SLASH4W	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：162.45 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20120SGHM3/4W	封装/外壳：TO-220-3 包装：卷带（TR）描述：DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-220AB 分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单	ETC 知名厂家	ETC
V20120SGHM3-4W	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：142.26 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20120SG-M3-4W	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：142.26 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20120SHM3-4W	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：129.93 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
V20120S-M3-4W	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：129.93 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
AOK20120XSD	1200 V αSiC Silicon Carbide Schottky Barrier Diode Features • Proprietary αSiC Schottky Barrier Diode technology • Negligible reverse recovery current • Maximum operating junction temperature of 175°C • Improved switching losses vs. Si bipolar diodes • Positive temperature coefficient for ease of paralleling Applications Renewable Industr	AOSMD 万国半导体	AOSMD
CBD20120LCT	LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER 文件：52.63 Kbytes Page：2 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
CBD20120UFCT	LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER 文件：71.1 Kbytes Page：4 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
CBD20120VCT	Ultra low forward voltage drop, low power loss 文件：98.01 Kbytes Page：4 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
CBD20120VDC	Ultra low forward voltage drop, low power loss 文件：67.95 Kbytes Page：4 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT

V20120S产品属性

类型
描述
型号
V20120S
制造商
VISHAY
制造商全称
Vishay Siliconix
功能描述
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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更新时间：2025-11-24 20:00:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金芯世纪电子有限公司	V20120S-E3/4W	VISHAY/威世	22+	TO-220	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	V20120S-E3/4W	VISHAY/威世	24+	NA/	3400	原厂直销,现货供应,账期支持!	询价
深圳市威雅利发展有限公司	V20120S	VISHAY	0714+	TO220	47	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	V20120S-E3/4W	VISHAY/威世	2450+	TO-220	9850	只做原装正品现货或订货假一赔十!	询价
深圳市勤思达科技有限公司	V20120S-E3/4W	VISHAY	24+	TO-220	5000	全新原装正品,现货销售	询价
深圳市星宇佳科技有限公司	V20120S-E3/4W	VISHAY/威世	14+	TO-220	53000		询价
深圳市凌旭科技有限公司	V20120S	VISHAY	2016+	TO220	9000	只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!	询价
深圳市拓亿芯电子有限公司	V20120S-E3/4W	VISHAY/威世	25+	TO-220	30000	全新原装现货,价格优势	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	V20120S	VISHAY原装	25+23+	TO-220	23547	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
深圳市赛美科科技有限公司	V20120S	VISHAY		TO220	53650	一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货	询价

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2020-11-20
V23079-A1006-B201
V23079-A1006-B201，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
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