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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
V20120S-E3/4W | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC • Haloge | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
V20120S-E3/4W | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：162.33 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
V20120S-E3/4W | 封装/外壳：TO-220-3 包装：管件 描述：DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO220AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | ETC 知名厂家 | ETC | |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC • Haloge | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC • Haloge | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC • Haloge | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：162.33 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | |
V20120S-E3/4W产品属性
- 类型
描述
- 型号
V20120S-E3/4W
- 功能描述
肖特基二极管与整流器 20 Amp 120 Volt Single TrenchMOS
- RoHS
否
- 制造商
Skyworks Solutions, Inc.
- 产品
Schottky Diodes
- 峰值反向电压
2 V
- 正向连续电流
50 mA
- 配置
Crossover Quad
- 正向电压下降
370 mV
- 最大功率耗散
75 mW
- 工作温度范围
- 65 C to + 150 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
SOT-143
- 封装
Reel
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
2016+ |
TO-220 |
3900 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
VISHAY/威世 |
2450+ |
TO-220 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
VISHAY |
23+ |
TO220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
TO-220 |
7437 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
|||||
VISHAY/威世 |
14+ |
TO-220 |
53000 |
||||
Vishay |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
|||
VISHAY/威世 |
25+ |
TO-220 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
|||
VISHAY |
25+ |
TO220 |
150 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
VISHAY/威世 |
24+ |
TO-220 |
43200 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
VISHAY |
24+ |
TO-220 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
V20120S-E3/4W芯片相关品牌
V20120S-E3/4W规格书下载地址
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- V20DB1
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- V20-C2
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2019-8-31
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