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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
V20120SG-E3SLASH4W | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A Ultra Low VF= 0.54 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
V20120SG-E3SLASH4W | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：162.45 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A Ultra Low VF= 0.54 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：162.45 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FERRAZ/罗兰熔断器 |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
|||
VISHAY/威世 |
2026+ |
TO220 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
|||
VISHAY |
24+ |
TO-220 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-220AB |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
24+ |
N/A |
67000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
VISHAY/威世 |
20+ |
TO-220 |
840 |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
Vishay(威世) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
|||
Vishay |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
|||
VISHAY/威世 |
TO-220 |
22+ |
6000 |
十年配单,只做原装 |
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2020-11-20V23079-A1006-B201
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2019-8-31
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