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V20120S-E3SLASH4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per    JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in    accordance to WEEE 2002/96/EC • Haloge

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High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per    JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in    accordance to WEEE 2002/96/EC • Haloge

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更新时间:2025-10-1 16:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY原装
25+23+
TO-220
23548
绝对原装正品全新进口深圳现货
Vishay/GeneralSemiconduc
24+
TO-220AB
1326
VISHAY/威世
23+
TO-220
6000
原装正品,支持实单
VISHAY/威世
20+
T0-220
2000
现货很近!原厂很远!只做原装
VISHAY/威世
TO-220
22+
6000
十年配单,只做原装
FERRAZ/罗兰熔断器
23+
标准封装
5000
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保
VISHAY/威世
23+
TO-220AB
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
24+
N/A
60000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
VISHAY/威世
23+
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VISHAY原装
24+
TO-220
30980
原装现货/放心购买

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