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V20120S-E3SLASH4W | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC • Haloge | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
V20120S-E3SLASH4W | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：162.33 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC • Haloge | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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