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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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V20120SG | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A Ultra Low VF= 0.54 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
V20120SG | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
V20120SG | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：164.09 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
V20120SG | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
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V20120SG | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：142.26 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
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High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF= 0.54 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A Ultra Low VF= 0.54 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A Ultra Low VF= 0.54 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
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High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
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High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：160.88 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：162.45 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
封装/外壳：TO-220-3 包装：卷带（TR） 描述：DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-220AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：142.26 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
封装/外壳：TO-220-3 包装：带盒（TB） 描述：DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-220AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：142.26 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
1200 V αSiC Silicon Carbide Schottky Barrier Diode Features • Proprietary αSiC Schottky Barrier Diode technology • Negligible reverse recovery current • Maximum operating junction temperature of 175°C • Improved switching losses vs. Si bipolar diodes • Positive temperature coefficient for ease of paralleling Applications Renewable Industr | AOSMD 万国半导体 | | ||
LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER 文件：52.63 Kbytes Page：2 Pages | PANJIT 強茂 | | ||
LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER 文件：71.1 Kbytes Page：4 Pages | PANJIT 強茂 | | ||
Ultra low forward voltage drop, low power loss 文件：98.01 Kbytes Page：4 Pages | PANJIT 強茂 | | ||
Ultra low forward voltage drop, low power loss 文件：67.95 Kbytes Page：4 Pages | PANJIT 強茂 | |
V20120SG产品属性
- 类型
描述
- 型号
V20120SG
- 制造商
VISHAY
- 制造商全称
Vishay Siliconix
- 功能描述
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
2026+ |
TO220 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
TO220 |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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LITEON/OCIC |
23+ |
SMD |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
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VISHAY |
TO220 |
53650 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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VISHAY原装 |
25+23+ |
TO-220 |
23548 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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Vishay/GeneralSemiconduc |
24+ |
TO-220AB |
1326 |
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VISHAY/威世 |
20+ |
T0-220 |
2000 |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
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VISHAY |
23+ |
TO-220 |
8650 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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Vishay General Semiconductor - |
25+ |
TO-220-3 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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FERRAZ/罗兰熔断器 |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
V20120SG规格书下载地址
V20120SG参数引脚图相关
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2020-11-20V23079-A1006-B201
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