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UPD5702

NECs2.4GHzSiLDMOSPOWERAMPLIFIER

3VOPERATIONSILICONLDMOSFETRFPOWERAMPLIFIERINTEGRATEDCIRCUIT FOR1.9GHzPHSAND2.4GHzAPPLICATIONS DESCRIPTION TheµPD5702TUisasiliconlaterallydiffused(LD)MOSFETICdesignedforuseaspoweramplifier1.9GHzPHSand2.4GHzapplications.ThisICconsistsoftwostageamplifier

CEL

California Eastern Laboratories

CEL

NECs2.4GHzSiLDMOSPOWERAMPLIFIER

3VOPERATIONSILICONLDMOSFETRFPOWERAMPLIFIERINTEGRATEDCIRCUIT FOR1.9GHzPHSAND2.4GHzAPPLICATIONS DESCRIPTION TheµPD5702TUisasiliconlaterallydiffused(LD)MOSFETICdesignedforuseaspoweramplifier1.9GHzPHSand2.4GHzapplications.ThisICconsistsoftwostageamplifier

CEL

California Eastern Laboratories

CEL

SiLDMOSFETANALOGRFINTEGRATEDCIRCUIT

FEATURES •OutputPower:Pout=+21dBmMIN.@Pin=−5dBm,f=1.9GHz,VDS=3.0V :Pout=+21dBmMIN.@Pin=+2dBm,f=2.45GHz,VDS=3.0V •SingleSupplyvoltage:VDS=3.0VTYP. •Packagedin8-pinLead-LessMinimold(2.0x2.2x0.5mm)suitableforhigh-densitysurfacemounting.

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

SiLDMOSFETANALOGRFINTEGRATEDCIRCUIT

3VOPERATIONSILICONLDMOSFETRFPOWERAMPLIFIERINTEGRATEDCIRCUIT FOR1.9GHzPHSAND2.4GHzAPPLICATIONS DESCRIPTION TheµPD5702TUisasiliconlaterallydiffused(LD)MOSFETICdesignedforuseaspoweramplifier1.9GHzPHSand2.4GHzapplications.ThisICconsistsoftwostageamplifier

CEL

California Eastern Laboratories

CEL

SiLDMOSFETANALOGRFINTEGRATEDCIRCUIT

FEATURES •OutputPower:Pout=+21dBmMIN.@Pin=−5dBm,f=1.9GHz,VDS=3.0V :Pout=+21dBmMIN.@Pin=+2dBm,f=2.45GHz,VDS=3.0V •SingleSupplyvoltage:VDS=3.0VTYP. •Packagedin8-pinLead-LessMinimold(2.0x2.2x0.5mm)suitableforhigh-densitysurfacemounting.

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

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3VOPERATIONSILICONLDMOSFETRFPOWERAMPLIFIERINTEGRATEDCIRCUIT FOR1.9GHzPHSAND2.4GHzAPPLICATIONS DESCRIPTION TheµPD5702TUisasiliconlaterallydiffused(LD)MOSFETICdesignedforuseaspoweramplifier1.9GHzPHSand2.4GHzapplications.ThisICconsistsoftwostageamplifier

CEL

California Eastern Laboratories

CEL

NECs2.4GHzSiLDMOSPOWERAMPLIFIER

3VOPERATIONSILICONLDMOSFETRFPOWERAMPLIFIERINTEGRATEDCIRCUIT FOR1.9GHzPHSAND2.4GHzAPPLICATIONS DESCRIPTION TheµPD5702TUisasiliconlaterallydiffused(LD)MOSFETICdesignedforuseaspoweramplifier1.9GHzPHSand2.4GHzapplications.ThisICconsistsoftwostageamplifier

CEL

California Eastern Laboratories

CEL

封装/外壳:8-SMD,扁平引线裸焊盘 包装:散装 描述:IC AMP 802.15.1 2.4GHZ 8MINIMOLD RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器

CEL

California Eastern Laboratories

CEL

包装:散装 描述:EVAL BOARD UPD5702TU 900MHZ 开发板,套件,编程器 射频评估和开发套件,开发板

CEL

California Eastern Laboratories

CEL

HighCurrentToroidInductors

文件:474.35 Kbytes Page:1 Pages

BournsBourns Inc.

伯恩斯(邦士)

Bourns

CIRCUITPROTECTION

文件:154.8 Kbytes Page:2 Pages

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

ETC1

Modularairsourceionbar

文件:260.8 Kbytes Page:3 Pages

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司

LEIDITECH

portabledigitalaudio16bitA/Dconverter

文件:1.24293 Mbytes Page:33 Pages

AKMAKM Semiconductor Inc.

旭化成微电子旭化成微电子株式会社

AKM

4-ChannelADCwithPLL&MIC-AMP

文件:967.7 Kbytes Page:76 Pages

AKMAKM Semiconductor Inc.

旭化成微电子旭化成微电子株式会社

AKM

UPD5702产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    UPD5702

  • 制造商

    CEL

  • 制造商全称

    CEL

  • 功能描述

    NECs 2.4 GHz Si LD MOS POWER AMPLIFIER

更新时间:2024-6-15 21:06:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
只做原装
21+
SSOP-20
36520
一级代理/放心采购
NEC
23+
NA/
50951
原装现货,当天可交货,原型号开票
NEC
2023+
SOT-8
80000
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
NEC
SOT-563
90000
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规
NEC
23+
SOT-8
4500
全新原装、诚信经营、公司现货销售!
NEC
2008++
SOP-8
118901
新进库存/原装
CEL
22+
8MINIMOLD
9000
原厂渠道,现货配单
NEC
2020+
SOT666
350000
100%进口原装正品公司现货库存
NEC
18+
SOT-8
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
NEC
2023+
SSOP24
3750
全新原厂原装产品、公司现货销售

UPD5702芯片相关品牌

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    2024-5-20
  • UPD30181AYF1-131-GA3-A 瑞智芯 只有原装

    深圳市瑞智芯科技有限公司 联系人:彭先生 QQ:2851196982 直线:0755-82991809 手机:13787628849 邮箱:pc@szruizhixin.com 地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2 型号:UPD30181AYF1-131-GA3-A 品牌:Renesas 包装:50 封装:BGA240

    2021-9-3
  • UPD720114GA-YEU-AT

    UPD720114GA-YEU-AT,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

    2020-11-22
  • UPD720114GA-9EU-A

    UPD720114GA-9EU-A,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

    2020-11-22
  • UPD16818GR-8JG-步进电机控制器/驱动器

    描述该mPD16818是单片双H桥驱动器集成电路,它使用其输出级N沟道功率MOS场效应管。通过雇用输出级的功率MOS场效应晶体管,该驱动电路的电压和饱和度大幅提高功耗比传统的驱动电路,使用双极晶体管。此外,驱动电流可以调节,在节电模式下使用外部电阻器。因此,该mPD16818作为一个两相励磁驱动电路的理想,双极步进电机驱动头执行器的一个FDD。特征•兼容电源电压3V-/5V-•引脚兼容与mPD16803•低(顶部和底部的ON电阻马鞍山FET的总和)ON电阻R

    2013-2-5
  • UPD16813-整体式双H桥驱动器电路

    描述该mPD16813是单片双H桥驱动电路,在它的驱动级功率MOS场效应管。通过补充P通道和N通道的输出级,电路电流大幅inproved相对于传统电荷泵驱动程序。该mPD16813因此作为2相励磁驱动电路的理想,双极步进电机驱动头部的一个FDD驱动器。特征•低(顶部和底部的ON电阻晶体管的总和)ON电阻RON的典型值=2.0瓦特。•低电流消耗:国际直拨电话=100mA最大。•降噪电路,操作时INC已关闭。•小型表面贴装封装:16引脚SOP的塑

    2013-2-5