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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
UPD5702

NECs 2.4 GHz Si LD MOS POWER AMPLIFIER

3V OPERATION SILICON LDMOSFET RF POWER AMPLIFIER INTEGRATED CIRCUIT FOR 1.9 GHz PHS AND 2.4 GHz APPLICATIONS DESCRIPTION The µPD5702TU is a silicon laterally diffused (LD) MOSFET IC designed for use as power amplifier 1.9 GHz PHS and 2.4 GHz applications. This IC consists of two stage amplifier

CEL

UPD5702

NECs 2.4 GHz Si LD MOS POWER AMPLIFIER

CEL

UPD5702TU

Si LDMOSFET ANALOG RF INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES • Output Power : Pout = +21 dBm MIN. @Pin = −5 dBm, f = 1.9 GHz, VDS = 3.0 V : Pout = +21 dBm MIN. @Pin = +2 dBm, f = 2.45 GHz, VDS = 3.0 V • Single Supply voltage : VDS = 3.0 V TYP. • Packaged in 8-pin Lead-Less Minimold (2.0 x 2.2 x 0.5mm) suitable for high-density surface mounting.

RENESAS

瑞萨

UPD5702TU

NECs 2.4 GHz Si LD MOS POWER AMPLIFIER

3V OPERATION SILICON LDMOSFET RF POWER AMPLIFIER INTEGRATED CIRCUIT FOR 1.9 GHz PHS AND 2.4 GHz APPLICATIONS DESCRIPTION The µPD5702TU is a silicon laterally diffused (LD) MOSFET IC designed for use as power amplifier 1.9 GHz PHS and 2.4 GHz applications. This IC consists of two stage amplifier

CEL

UPD5702TU-A

Si LDMOSFET ANALOG RF INTEGRATED CIRCUIT

3V OPERATION SILICON LDMOSFET RF POWER AMPLIFIER INTEGRATED CIRCUIT FOR 1.9 GHz PHS AND 2.4 GHz APPLICATIONS DESCRIPTION The µPD5702TU is a silicon laterally diffused (LD) MOSFET IC designed for use as power amplifier 1.9 GHz PHS and 2.4 GHz applications. This IC consists of two stage amplifier

CEL

UPD5702TU-E2

Si LDMOSFET ANALOG RF INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES • Output Power : Pout = +21 dBm MIN. @Pin = −5 dBm, f = 1.9 GHz, VDS = 3.0 V : Pout = +21 dBm MIN. @Pin = +2 dBm, f = 2.45 GHz, VDS = 3.0 V • Single Supply voltage : VDS = 3.0 V TYP. • Packaged in 8-pin Lead-Less Minimold (2.0 x 2.2 x 0.5mm) suitable for high-density surface mounting.

RENESAS

瑞萨

UPD5702TU-E2-A

Si LDMOSFET ANALOG RF INTEGRATED CIRCUIT

3V OPERATION SILICON LDMOSFET RF POWER AMPLIFIER INTEGRATED CIRCUIT FOR 1.9 GHz PHS AND 2.4 GHz APPLICATIONS DESCRIPTION The µPD5702TU is a silicon laterally diffused (LD) MOSFET IC designed for use as power amplifier 1.9 GHz PHS and 2.4 GHz applications. This IC consists of two stage amplifier

CEL

UPD5702TU-E2-A

NECs 2.4 GHz Si LD MOS POWER AMPLIFIER

3V OPERATION SILICON LDMOSFET RF POWER AMPLIFIER INTEGRATED CIRCUIT FOR 1.9 GHz PHS AND 2.4 GHz APPLICATIONS DESCRIPTION The µPD5702TU is a silicon laterally diffused (LD) MOSFET IC designed for use as power amplifier 1.9 GHz PHS and 2.4 GHz applications. This IC consists of two stage amplifier

CEL

UPD5702TU-A

Si LDMOSFET ANALOG RF INTEGRATED CIRCUIT

CEL

UPD5702TU-E2-A

封装/外壳：8-SMD，扁平引线裸焊盘 包装：散装 描述：IC AMP 802.15.1 2.4GHZ 8MINIMOLD RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器

CEL

UPD5702TU-EV09

包装：散装 描述：EVAL BOARD UPD5702TU 900MHZ 开发板，套件，编程器 射频评估和开发套件，开发板

CEL

5702

Introduction to Knowles Precision Devices

Applications  RF amplifier  LC Filters and Networks  Broadband Wireless LAN  Medical Devices  Cordless and Cellular phones  DR/Crystal Oscillator  Microstrip line filters

KNOWLES

楼氏电子

5702-RC

High Current Toroid Inductors

文件：474.35 Kbytes Page：1 Pages

Bourns

伯恩斯

5702S

CIRCUIT PROTECTION

文件：154.8 Kbytes Page：2 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

AC5702

Modular air source ion bar

文件：260.8 Kbytes Page：3 Pages

LEIDITECH

雷卯电子

AK5702

portable digital audio 16bit A/D converter

文件：1.24293 Mbytes Page：33 Pages

AKM

旭化成微电子

UPD5702产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    UPD5702

  • 制造商

    CEL

  • 制造商全称

    CEL

  • 功能描述

    NECs 2.4 GHz Si LD MOS POWER AMPLIFIER

UPD5702供应商更多...

更新时间：2025-11-22 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
UPD5702TU-E2
NEC
24+
NA/
50951
原装现货,当天可交货,原型号开票
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深圳市凌旭科技有限公司
UPD5710TK-E2
NEC
2016+
SOT-563
6000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
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深圳市威雅利发展有限公司
UPD5710TK-E2
NEC
08+
SOT-363
2320
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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深圳市华睿芯科技有限公司
UPD5710TK-E2
NEC
24+
SOT563
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全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
UPD5702TU-A
CYPRESS/赛普拉斯
23+
NA
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
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深圳市科恒伟业电子有限公司
UPD5710TK
NEC
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SOT-563
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深圳市恒达亿科技有限公司
UPD5702TU-E2
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深圳市宏世佳电子科技有限公司
UPD5702-027
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3750
全新原厂原装产品、公司现货销售
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深圳市一线半导体有限公司
UPD5702TU-E2
NEC
24+
SOP-8
118901
新进库存/原装
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司
UPD5710TK-E2
SEIKO
23+
SOT153
10000
原装正品,假一罚十
询价

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  • UPD30181AYF1-131-GA3-A 瑞智芯 只有原装

    深圳市瑞智芯科技有限公司 联系人：彭先生 QQ：2851196982 直线：0755-82991809 手机：13787628849 邮箱：pc@szruizhixin.com 地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2 型号：UPD30181AYF1-131-GA3-A 品牌：Renesas 包装：50 封装：BGA240

    2021-9-3

  • UPD720114GA-YEU-AT

    UPD720114GA-YEU-AT，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

    2020-11-22

  • UPD720114GA-9EU-A

    UPD720114GA-9EU-A，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

    2020-11-22

  • UPD16818GR-8JG-步进电机控制器/驱动器

    描述 该mPD16818是单片双H桥驱动器集成电路，它使用其输出级N沟道功率MOS场效应管。通过雇用输出级的功率MOS场效应晶体管，该驱动电路的电压和饱和度大幅提高功耗比传统的驱动电路，使用双极晶体管。此外，驱动电流可以调节，在节电模式下使用外部电阻器。因此，该mPD16818作为一个两相励磁驱动电路的理想，双极步进电机驱动头执行器的一个FDD。 特征 •兼容电源电压3V-/5V- •引脚兼容与mPD16803 •低（顶部和底部的ON电阻马鞍山FET的总和）ON电阻 R

    2013-2-5

  • UPD16813-整体式双H桥驱动器电路

    描述 该mPD16813是单片双H桥驱动电路，在它的驱动级功率MOS场效应管。通过补充P通道和N通道的输出级，电路电流大幅inproved相对于传统电荷泵驱动程序。该mPD16813因此作为2相励磁驱动电路的理想，双极步进电机驱动头部的一个FDD驱动器。 特征 •低（顶部和底部的ON电阻晶体管的总和）ON电阻RON的典型值=2.0瓦特。 •低电流消耗：国际直拨电话= 100 mA最大。 •降噪电路，操作时INC已关闭。 •小型表面贴装封装：16引脚SOP的塑

    2013-2-5

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