型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
UPD5702TU-A

Si LDMOSFET ANALOG RF INTEGRATED CIRCUIT

3V OPERATION SILICON LDMOSFET RF POWER AMPLIFIER INTEGRATED CIRCUIT FOR 1.9 GHz PHS AND 2.4 GHz APPLICATIONS DESCRIPTION The µPD5702TU is a silicon laterally diffused (LD) MOSFET IC designed for use as power amplifier 1.9 GHz PHS and 2.4 GHz applications. This IC consists of two stage amplifier

CEL

UPD5702TU-A

封装/外壳:8-SMD,扁平引线裸焊盘 包装:卷带(TR) 描述:IC AMP 802.15.1 2.4GHZ 8MINIMOLD RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器

CEL

UPD5702TU-A

Si LDMOSFET ANALOG RF INTEGRATED CIRCUIT

CEL

Introduction to Knowles Precision Devices

Applications  RF amplifier  LC Filters and Networks  Broadband Wireless LAN  Medical Devices  Cordless and Cellular phones  DR/Crystal Oscillator  Microstrip line filters

KNOWLES

楼氏电子

High Current Toroid Inductors

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Bourns

伯恩斯

CIRCUIT PROTECTION

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

Modular air source ion bar

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LEIDITECH

雷卯电子

portable digital audio 16bit A/D converter

文件:1.24293 Mbytes Page:33 Pages

AKM

旭化成微电子

UPD5702TU-A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    UPD5702TU-A

  • 功能描述

    射频放大器 Med Power Driver Amp

  • RoHS

  • 制造商

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 类型

    Low Noise Amplifier

  • 工作频率

    2.3 GHz to 2.8 GHz

  • P1dB

    18.5 dBm

  • 输出截获点

    37.5 dBm

  • 功率增益类型

    32 dB

  • 噪声系数

    0.85 dB

  • 工作电源电压

    5 V

  • 电源电流

    125 mA

  • 测试频率

    2.6 GHz

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    QFN-16

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-11-23 12:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
24+
SOT563
18560
假一赔十全新原装现货特价供应工厂客户可放款
NEC
2511
SOT-563
360000
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
NEC
22+
SOT-563
30000
只做原装正品
CYPRESS/赛普拉斯
23+
NA
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
NEC
23+
SOT-8
50000
全新原装正品现货,支持订货
CEL
22+
8MINIMOLD
9000
原厂渠道,现货配单
NEC
2016+
SOT-563
6000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
NEC
24+
SOP-8
118901
新进库存/原装
NEC
20+
SOP-8
2960
诚信交易大量库存现货
NEC
24+
SOT563
20000
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!!

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    2021-9-3
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    UPD720114GA-9EU-A,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

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    描述 该mPD16818是单片双H桥驱动器集成电路,它使用其输出级N沟道功率MOS场效应管。通过雇用输出级的功率MOS场效应晶体管,该驱动电路的电压和饱和度大幅提高功耗比传统的驱动电路,使用双极晶体管。此外,驱动电流可以调节,在节电模式下使用外部电阻器。因此,该mPD16818作为一个两相励磁驱动电路的理想,双极步进电机驱动头执行器的一个FDD。 特征 •兼容电源电压3V-/5V- •引脚兼容与mPD16803 •低(顶部和底部的ON电阻马鞍山FET的总和)ON电阻 R

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    2013-2-5