描述
该mPD16813是单片双H桥驱动电路，在它的驱动级功率MOS场效应管。通过补充P通道和N通道的输出级，电路电流大幅inproved相对于传统电荷泵驱动程序。该mPD16813因此作为2相励磁驱动电路的理想，双极步进电机驱动头部的一个FDD驱动器。
特征
•低（顶部和底部的ON电阻晶体管的总和）ON电阻RON的典型值=2.0瓦特。
•低电流消耗：国际直拨电话= 100 mA最大。
•降噪电路，操作时INC已关闭。
•小型表面贴装封装：16引脚SOP的塑料（300万）
UPD16813-整体式双H桥驱动器电路
时间：2013-2-5 15:26:00
描述 该mPD16813是单片双H桥驱动电路，在它的驱动级功率MOS场效应管。通过补充P通道和N通道的输出级，电路电流大幅inproved相对于传统电荷泵驱动程序。该mPD16813因此作为2相励磁驱动电路的理想，双极步进电机驱动头部的一个FDD驱动器。 特征 •低（顶部和底部的ON电阻晶体管的总和）ON电阻RON的典型值=2.0瓦
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MOS INTEGRATED CIRCUIT | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | ||
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~60? 90? beam optimized for 1.0 mm metal sheet or profile. | LEDILLEDiL 莱迪尔莱迪尔公司 | | ||
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2025-8-16 18:19:00
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