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UPD5702TU-E2

Si LDMOSFET ANALOG RF INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES • Output Power : Pout = +21 dBm MIN. @Pin = −5 dBm, f = 1.9 GHz, VDS = 3.0 V : Pout = +21 dBm MIN. @Pin = +2 dBm, f = 2.45 GHz, VDS = 3.0 V • Single Supply voltage : VDS = 3.0 V TYP. • Packaged in 8-pin Lead-Less Minimold (2.0 x 2.2 x 0.5mm) suitable for high-density surface mounting.

RENESAS

瑞萨

NECs 2.4 GHz Si LD MOS POWER AMPLIFIER

3V OPERATION SILICON LDMOSFET RF POWER AMPLIFIER INTEGRATED CIRCUIT FOR 1.9 GHz PHS AND 2.4 GHz APPLICATIONS DESCRIPTION The µPD5702TU is a silicon laterally diffused (LD) MOSFET IC designed for use as power amplifier 1.9 GHz PHS and 2.4 GHz applications. This IC consists of two stage amplifier

CEL

Si LDMOSFET ANALOG RF INTEGRATED CIRCUIT

3V OPERATION SILICON LDMOSFET RF POWER AMPLIFIER INTEGRATED CIRCUIT FOR 1.9 GHz PHS AND 2.4 GHz APPLICATIONS DESCRIPTION The µPD5702TU is a silicon laterally diffused (LD) MOSFET IC designed for use as power amplifier 1.9 GHz PHS and 2.4 GHz applications. This IC consists of two stage amplifier

CEL

封装/外壳:8-SMD,扁平引线裸焊盘 包装:散装 描述:IC AMP 802.15.1 2.4GHZ 8MINIMOLD RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器

CEL

UPD5702TU-E2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    UPD5702TU-E2

  • 功能描述

    射频放大器 Med Power Driver Amp

  • RoHS

  • 制造商

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 类型

    Low Noise Amplifier

  • 工作频率

    2.3 GHz to 2.8 GHz

  • P1dB

    18.5 dBm

  • 输出截获点

    37.5 dBm

  • 功率增益类型

    32 dB

  • 噪声系数

    0.85 dB

  • 工作电源电压

    5 V

  • 电源电流

    125 mA

  • 测试频率

    2.6 GHz

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    QFN-16

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-11-23 16:38:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
25+
SOT-8
4500
全新原装、诚信经营、公司现货销售!
NEC
24+
SOP-8
118901
新进库存/原装
NEC
24+
SOT563
5000
全新原装正品,现货销售
SEIKO
23+
SOT153
10000
原装正品,假一罚十
NEC
18+
SOT-8
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
NEC
9650+
PDIP
328
原装现货
NEC
20+
SOP-8
2960
诚信交易大量库存现货
NEC
08+
SOT-363
2320
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
NEC
2023+
SOT-563
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
NEC
25+
SOT563
91640
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可

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  • UPD30181AYF1-131-GA3-A 瑞智芯 只有原装

    深圳市瑞智芯科技有限公司 联系人:彭先生 QQ:2851196982 直线:0755-82991809 手机:13787628849 邮箱:pc@szruizhixin.com 地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2 型号:UPD30181AYF1-131-GA3-A 品牌:Renesas 包装:50 封装:BGA240

    2021-9-3
  • UPD720114GA-YEU-AT

    UPD720114GA-YEU-AT,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

    2020-11-22
  • UPD720114GA-9EU-A

    UPD720114GA-9EU-A,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

    2020-11-22
  • UPD16818GR-8JG-步进电机控制器/驱动器

    描述 该mPD16818是单片双H桥驱动器集成电路,它使用其输出级N沟道功率MOS场效应管。通过雇用输出级的功率MOS场效应晶体管,该驱动电路的电压和饱和度大幅提高功耗比传统的驱动电路,使用双极晶体管。此外,驱动电流可以调节,在节电模式下使用外部电阻器。因此,该mPD16818作为一个两相励磁驱动电路的理想,双极步进电机驱动头执行器的一个FDD。 特征 •兼容电源电压3V-/5V- •引脚兼容与mPD16803 •低(顶部和底部的ON电阻马鞍山FET的总和)ON电阻 R

    2013-2-5
  • UPD16813-整体式双H桥驱动器电路

    描述 该mPD16813是单片双H桥驱动电路,在它的驱动级功率MOS场效应管。通过补充P通道和N通道的输出级,电路电流大幅inproved相对于传统电荷泵驱动程序。该mPD16813因此作为2相励磁驱动电路的理想,双极步进电机驱动头部的一个FDD驱动器。 特征 •低(顶部和底部的ON电阻晶体管的总和)ON电阻RON的典型值=2.0瓦特。 •低电流消耗:国际直拨电话= 100 mA最大。 •降噪电路,操作时INC已关闭。 •小型表面贴装封装:16引脚SOP的塑

    2013-2-5