STGW35NB60S价格

参考价格:¥18.3368

型号:STGW35NB60SD 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STGW35NB60S多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STGW35NB60S批发/采购报价,STGW35NB60S行情走势销售排行榜,STGW35NB60S报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
STGW35NB60S

N-channel 35A - 600V - TO-247 Low drop PowerMESH??IGBT

Description Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBTs, with outstanding performances. Features ■ Low on-voltage drop (VCEsat) ■ Low input capacitance ■ High current capabil

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGW35NB60S

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 70A 200W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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STGW35NB60S

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 70A 200W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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意法半导体

STGW35NB60S

Low input capacitance

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意法半导体

Low Drop \S\ series

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意法半导体

N-CHANNEL 35A - 600V - TO-247 Low Drop PowerMESH TM IGBT

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N-CHANNEL 35A - 600V - TO-247 Low Drop PowerMESH TM IGBT

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意法半导体

STGW35NB60S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGW35NB60S

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 N Ch 35A 600V

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-21 20:00:00
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