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STGW35NB60SD价格
参考价格：￥18.3368
型号：STGW35NB60SD 品牌：STMicroelectronics 备注：这里有STGW35NB60SD多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，STGW35NB60SD批发/采购报价，STGW35NB60SD行情走势销售排行榜，STGW35NB60SD报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STGW35NB60SD | N-CHANNEL 35A - 600V - TO-247 Low Drop PowerMESH TM IGBT 文件：242.39 Kbytes Page：13 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STGW35NB60SD | 封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 70A 200W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
STGW35NB60SD | Low Drop \S\ series | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
N-channel 35A - 600V - TO-247 Low drop PowerMESH??IGBT Description Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBTs, with outstanding performances. Features ■ Low on-voltage drop (VCEsat) ■ Low input capacitance ■ High current capabil | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
N-CHANNEL 35A - 600V - TO-247 Low Drop PowerMESH TM IGBT 文件：242.39 Kbytes Page：13 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
STGW35NB60SD产品属性
- 类型
描述
- 型号
STGW35NB60SD
- 功能描述
IGBT 晶体管 N Ch 35A 600V
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST |
2526+ |
原厂封装 |
50000 |
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