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STGP15M120F3

Trench gate field-stop, 1200 V, 15 A, low-loss M series IGBT in a TO-220 package

Features • 10 μs of minimum short-circuit withstand time • VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 15 A • Tight parameter distribution • Positive VCE(sat) temperature coefficient • Low thermal resistance • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C Description This device is an IGBT developed usi

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意法半导体

STGP15M120F3

封装/外壳:TO-220-3 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V, 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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STGP15M120F3

Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss

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更新时间:2025-9-27 9:52:00
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