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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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STGP15M120F3 | Trench gate field-stop, 1200 V, 15 A, low-loss M series IGBT in a TO-220 package Features • 10 μs of minimum short-circuit withstand time • VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 15 A • Tight parameter distribution • Positive VCE(sat) temperature coefficient • Low thermal resistance • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C Description This device is an IGBT developed usi | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STGP15M120F3 | 封装/外壳：TO-220-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V, 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
STGP15M120F3 | Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
更新时间：2026-1-2 17:10:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
Si |
8860 |
原装现货,实单价优 |
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ST/意法半导体 |
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