STGP10NC60S价格

参考价格:¥11.0119

型号:STGP10NC60S 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STGP10NC60S多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STGP10NC60S批发/采购报价,STGP10NC60S行情走势销售排行榜,STGP10NC60S报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
STGP10NC60S

10 A, 600 V fast IGBT

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGP10NC60S

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 21A 62.5W TO220 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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意法半导体

STGP10NC60S

IGBT 600V 21A 62.5W TO220

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意法半导体

N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / TO-220FP Short circuit rated PowerMESH IGBT

Description Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBTs, with outstanding performances. The suffix “K” identifies a family optimized for high frequency motor control applications wit

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意法半导体

N-channel 600V - 10A - TO-220 - D2PAK Very fast PowerMESH TM IGBT

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意法半导体

N-channel 600V - 10A - TO-220 - D2PAK - TO-220FP very fast PowerMESH IGBT

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意法半导体

N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / DPAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT

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意法半导体

N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / TO-220FP Short circuit rated PowerMESH TM IGBT

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STGP10NC60S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGP10NC60S

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 10A-600V fast IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-12 17:53:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
NEW
TO-220
8795
代理全系列销售, 全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订
ST全系列
25+23+
TO-220
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23+
TO-220AB
16900
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TO220ABNONISOL
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18+
TO-220
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保证进口原装可开17%增值税发票
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TO-220
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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17+
TO-220
31518
原装正品 可含税交易
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TO-220AB
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25+
TO-220AB
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