STGF20H60DF价格

参考价格:¥10.4054

型号:STGF20H60DF 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STGF20H60DF多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STGF20H60DF批发/采购报价,STGF20H60DF行情走势销售排行榜,STGF20H60DF报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STGF20H60DF

600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT

文件:1.85887 Mbytes Page:22 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGF20H60DF

封装/外壳:TO-220-3 整包 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:IGBT 600V 40A 37W TO220FP 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

STMICROELECTRONICS

意法半导体

60 V field-effect rectifier diode

Features  ST advanced rectifier process  Stable leakage current over reverse voltage  Reduced leakage current  Low forward voltage drop  High frequency operation Description The device is based on a proprietary technology that achieves the best in class VF/IR trade-off for a given si

STMICROELECTRONICS

意法半导体

Fast Recovery Diode

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KSS

京瓷

20A SCHOTTKY RECTIFIER

文件:371.27 Kbytes Page:6 Pages

GAMMA

GAMMA electronics

Dual Schottky Barrier Rectifier

文件:85.94 Kbytes Page:3 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Dual Common-Cathode Schottky Rectifier

文件:160.93 Kbytes Page:5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

STGF20H60DF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGF20H60DF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 配置

    Single 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.8 V

  • 栅极/发射极最大电压

    +/- 20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    40 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    250 nA

  • 功率耗散

    37 W

  • 最大工作温度

    + 175 C

  • 封装/箱体

    TO-220FP

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-10 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST(意法半导体)
24+
TO-220F
942
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
ST/意法
2023+
TO-220F
8635
一级代理优势现货,全新正品直营店
ST/意法
24+
TO-220F
990000
明嘉莱只做原装正品现货
ST(意法)
24+
TO-220-3 整包
33900
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
ST/意法半导体
21+
TO-220-3 FP
8860
只做原装,质量保证
SI
24+
N/A
18000
原装正品 有挂有货 假一赔十
ST/意法半导体
23+
TO-220-3 FP
16900
公司只做原装,可来电咨询
ST
2447
TO-220F
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
ST/意法半导体
24+
TO-220-3 FP
16960
原装正品现货支持实单
STMicroelectronics
24+
NA
3305
进口原装正品优势供应

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