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STGF10NC60HD价格

参考价格：￥2.9373

型号：STGF10NC60HD 品牌：STMICROELECTRONICS 备注：这里有STGF10NC60HD多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，STGF10NC60HD批发/采购报价，STGF10NC60HD行情走势销售排行榜，STGF10NC60HD报价。

型号	功能描述	生产厂家&企业	LOGO	操作
STGF10NC60HD	600V-10A-veryfastIGBT Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™ processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■LowCRES/CIESratio(nocross-conduction susceptibility) ■Verysoftultrafastrecov	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STGF10NC60HD	封装/外壳：TO-220-3 整包包装：管件描述：IGBT 600V 9A 24W TO220FP 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STGF10NC60HD	N-channel600V-10A-TO-220-D2PAK-TO-220FPveryfastPowerMESHIGBT 文件：410.77 Kbytes Page：17 Pages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STGF10NC60HD	600V-10A-veryfastIGBT 文件：774.03 Kbytes Page：19 Pages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
GB10NC60KD	N-channel600V-10A-D2PAK/TO-220/TO-220FPShortcircuitratedPowerMESHIGBT Description Usingthelatesthighvoltagetechnologybasedonapatentedstriplayout,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofIGBTs,thePowerMESH™IGBTs,withoutstandingperformances.Thesuffix“K”identifiesafamilyoptimizedforhighfrequencymotorcontrolapplicationswit	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
GB10NC60HD	N-channel600V-10A-TO-220-D2PAKVeryfastPowerMESHTMIGBT 文件：453.39 Kbytes Page：15 Pages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
GB10NC60HD	N-channel600V-10A-TO-220-D2PAK-TO-220FPveryfastPowerMESHIGBT 文件：410.77 Kbytes Page：17 Pages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
GB10NC60K	N-channel600V-10A-D2PAK/TO-220/DPAKShortcircuitratedPowerMESHTMIGBT 文件：599.36 Kbytes Page：17 Pages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
GB10NC60KD	N-channel600V-10A-D2PAK/TO-220/TO-220FPShortcircuitratedPowerMESHTMIGBT 文件：526.13 Kbytes Page：17 Pages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团

STGF10NC60HD产品属性

类型
描述
型号
STGF10NC60HD
功能描述
IGBT 晶体管 IGBT
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集电极—发射极最大电压
VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V 在25
C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
功率耗散
187 W
封装/箱体
TO-247
封装
Tube

STGF10NC60HD供应商更多...

更新时间：2024-6-6 14:30:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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