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N-CHANNEL 7A - 1200V IPAK Power MESH IGBT

DESCRIPTION Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBTs, with outstanding perfomances. The suffix ”S” identifies a family optimized to achieve minimum on-voltage drop for low frequency

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-CHANNEL 7A - 1200V - IPAK PowerMESH IGBT

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意法半导体

封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 包装:管件 描述:IGBT 1200V 10A 55W IPAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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N-CHANNEL 7A - 1200V IPAK Power MESH IGBT

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意法半导体

N-CHANNEL 7A - 1200V - IPAK PowerMESH IGBT

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意法半导体

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:管件 描述:IGBT 1200V 10A 55W DPAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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意法半导体

N-CHANNEL 7A - 1200V - TO-220 PowerMESH??IGBT

DESCRIPTION Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBTs, with outstanding performances. The suffix “S” identifies a family optimized achieve minimum on-voltage drop for low frequency a

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STGD7NB120S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGD7NB120S

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 N-CHANNEL 7A - 1200V IPAK POWERMESH IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-4 11:09:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
23+
TO-
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
ST/意法
23+
TO-252
50000
全新原装正品现货,支持订货
STMicroelectronics
25+
N/A
18798
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
ST
24+
TO252DPAK
8866
ST
23+
TO-252
8560
受权代理!全新原装现货特价热卖!
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一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理
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12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
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原厂封装
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原装进口公司现货假一赔百
ST/意法
22+
IPAKTO-251
23010

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