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STFW12N120K5

Ultra low gate charge

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-Channel Super Junction MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID=12A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS=1200V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.62Ω(TYP)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

Ultra low gate charge

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意法半导体

Worldwide best FOM

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意法半导体

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意法半导体

更新时间:2025-8-16 17:10:00
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