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STW12N120K5

N-Channel Super Junction MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID=12A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS=1200V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.62Ω(TYP)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

STW12N120K5

N沟道1200 V、0.62 Ohm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-247封装

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意法半导体

STW12N120K5

Worldwide best FOM

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意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 1200V(Min) -RDS(on) = 0.69Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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Ultra low gate charge

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意法半导体

STW12N120K5产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STW12N120K5

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 功能描述

    POWER MOSFET IN TO-3PF, H2PAK-2, TO-220 AND TO-247 PACKAGES - Tape and Reel

更新时间:2025-11-19 20:13:00
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