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STF12N120K5

Ultralowgatecharge

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意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

N-ChannelSuperJunctionMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.62Ω(TYP)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

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更新时间:2024-6-1 8:38:00
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ST/意法半导体
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秉承只做原装 终端我们可以提供技术支持
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