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STF12N120K5

Ultra low gate charge

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STF12N120K5

N沟道1200 V、0.62 Ohm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-220FP封装

STMICROELECTRONICS

意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 1200V(Min) -RDS(on) = 0.69Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-Channel Super Junction MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID=12A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS=1200V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.62Ω(TYP)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

Ultra low gate charge

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

Worldwide best FOM

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意法半导体

更新时间:2026-1-28 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
STMICRO
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