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Extremely low gate charge 文件：660.95 Kbytes Page：12 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min) -RDS(on) = 180mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
Extremely low gate charge 文件：1.2408 Mbytes Page：22 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
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更新时间：2025-12-15 17:37:01
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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ST/意法半导体 |
26+ |
TO-220FP-3 |
60000 |
只有原装 可配单 |
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ST |
25+ |
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37650 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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ST/意法半导体 |
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TO-220FP-3 |
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原装现货,实单价优 |
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ST |
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原厂封装 |
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ST/意法 |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220FP-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
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ST/意法 |
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TO-220-3 |
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ST/意法半导体 |
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TO-220FP-3 |
12820 |
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STFU28N65M2IC规格书下载地址
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