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STFU28N65M2 | Extremely low gate charge 文件：660.95 Kbytes Page：12 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance； -RDS(on) = 0.18Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
Extremely low gate charge 文件：1.2408 Mbytes Page：22 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
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更新时间：2025-8-9 23:01:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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