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STFU28N65M2

Extremely low gate charge

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STFU28N65M2

N沟道650 V、0.15 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET,TO-220FP超窄引线封装

STMICROELECTRONICS

意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min) -RDS(on) = 180mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

Extremely low gate charge

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意法半导体

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意法半导体

更新时间:2025-9-27 9:56:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法半导体
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