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STFU28N65M2

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意法半导体意法半导体(ST)集团

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iscN-ChannelMosfetTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.18Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Switchingpower

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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更新时间:2024-10-31 23:36:00
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