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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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STP28N65M2 | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance； -RDS(on) = 0.18Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 |   | |
STP28N65M2 | N沟道650 V、0.15 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220封装 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
STP28N65M2 | Extremely low gate charge 文件：1.2408 Mbytes Page：22 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min) -RDS(on) = 180mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
Extremely low gate charge 文件：1.2408 Mbytes Page：22 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
Extremely low gate charge 文件：1.2408 Mbytes Page：22 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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明嘉莱只做原装正品现货 |
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SST |
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