SIR882DP-T1-GE3价格

参考价格:¥6.9346

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SIR882DP-T1-GE3

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

文件:509.85 Kbytes Page:13 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIR882DP-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIR882DP-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 100 Volts 60 Amps 83 Watts

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-24 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
24+
NA/
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
VISHAY
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
Vishay
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VISHAY/威世
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VISHAY/威世
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VISHAY(威世)
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9908
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。

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