SIR462DP

发布企业:深圳市胜彬电子有限公司时间:2020/10/9 10:13:00

公司名深圳市胜彬电子有限公司

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TO-3PF-3 MOSFET , 1200 V MOSFET , WDFN-8 SMD/SMT 1 Channel N-Channel 40 V MOSFET , TO-252-3 SMD/SMT P-Channel Enhancement 4.5 A MOSFET , SMD/SMT P-Channel AEC-Q101 MOSFET , TSSOP-8 SMD/SMT Enhancement 20 V MOSFET

产品属性 属性值 搜索类似

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PowerPAK-SO-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 30 A

Rds On-漏源导通电阻: 7.9 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Qg-栅极电荷: 20 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 41.7 W

通道模式: Enhancement

商标名: TrenchFET, PowerPAK

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.04 mm

长度: 6.15 mm

系列: SIR

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 5.15 mm

商标: Vishay Semiconductors

正向跨导 - 最小值: 70 S

下降时间: 9 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 9 ns

工厂包装数量: 3000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 25 ns

典型接通延迟时间: 14 ns

零件号别名: SIR462DP-GE3

单位重量: 506.600 mg