SIS862DN-T1-GE3原装现货支持实单

发布企业:深圳市毅创辉电子科技有限公司时间:2023-4-27 9:29:00

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SIS862DN-T1-GE3原装现货支持实单
SIS862DN-T1-GE3

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制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PowerPAK-1212-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 40 A

Rds On-漏源导通电阻: 7 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V

Qg-栅极电荷: 32 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 52 W

通道模式: Enhancement

商标名: TrenchFET, PowerPAK

系列: SIS

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Vishay Semiconductors

配置: Single

下降时间: 5 ns

正向跨导 - 最小值: 60 S

高度: 1.04 mm

长度: 3.3 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 5 ns

工厂包装数量: 3000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 20 ns

典型接通延迟时间: 12 ns

宽度: 3.3 mm

单位重量: 1 g

公司成立2008年,拥有15年供货经验,主营ALTERA XILINX

 

我们只从原厂或者代理商正规渠道进货,保证原厂原装。

 

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2025-8-17 13:44:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SiS862DN-T1-GE3
VISHAY/威世
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