SIR876ADP-T1-GE3
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerPAK-SO-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 40 A
Rds On-漏源导通电阻: 9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
Qg-栅极电荷: 49 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 62.5 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET， PowerPAK
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: SIR
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值: 54 S
下降时间: 8 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 8 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 28 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
零件号别名: SIR876ADP-GE3
单位重量: 506.600 mg
