时间：2022-7-1 11:16:00
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerPAK-SO-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 35 A
Rds On-漏源导通电阻: 6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.15 V
Qg-栅极电荷: 42 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 36 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET, PowerPAK
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
产品类型: MOSFET
系列: SIR
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
零件号别名: SIR402DP-GE3
单位重量: 506.600 mg
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 |   | ||
N-Channel 40 V (D-S) MOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | ||
N-Channel 40 V (D-S) MOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | |
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