SIR826DP-T1-GE3价格

参考价格:¥7.2517

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SIR826DP-T1-GE3

N-Channel 80 V (D-S) MOSFET

文件:507.79 Kbytes Page:13 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SIR826DP-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIR826DP-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-8 16:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
22+
QFN8
160909
原装正品现货,可开13个点税
VISHAY
16+
88
公司优势库存 热卖中!
VISHAY(威世)
24+
PowerPAK-SO-8
9908
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
Vishay(威世)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
VISHAY/威世
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QFN-8
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VISHAY/威世
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VISHAY/威世
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DFN5X6
18500
原装正品支持实单
VISHAY/威世
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PAKSO-8
7000

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