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SIR826DP-T1-GE3价格
参考价格:¥7.2517
型号:SIR826DP-T1-GE3 品牌:Vishay 备注:这里有SIR826DP-T1-GE3多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SIR826DP-T1-GE3批发/采购报价,SIR826DP-T1-GE3行情走势销售排行榜,SIR826DP-T1-GE3报价。型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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SIR826DP-T1-GE3 | N-Channel 80 V (D-S) MOSFET 文件:507.79 Kbytes Page:13 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 |
SIR826DP-T1-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SIR826DP-T1-GE3
- 功能描述
MOSFET 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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VISHAY/威世 |
22+ |
QFN8 |
160909 |
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VISHAY |
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VISHAY(威世) |
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Vishay(威世) |
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NA |
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VISHAY/威世 |
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DFN5X6 |
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原装正品支持实单 |
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VISHAY/威世 |
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PAKSO-8 |
7000 |
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2019-11-29SIP41101-半桥式N通道MOSFET驱动器的越狱前先
特点 5 -10V栅极驱动 欠压锁定 分1 -栅极驱动器 内置自举二极管 驱动MOSFET在4.5至30 V系统 开关频率:250 kHz到1 MHz 同步启用/禁用选项 应用 多相直流/直流 高电流同步降压转换器 高频同步降压转换器 异步到同步改编 移动计算机直流/直流转换器 台式电脑直流/直流转换器 描述 该SiP4
2013-2-25
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