型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SIR812DP-T1-GE3

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件:160.14 Kbytes Page:9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIR812DP-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIR812DP-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 30V 60A 104W 1.45mohm @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-23 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
24+
NA/
8639
原厂直销,现货供应,账期支持!
VISHAY/威世
22+
SO-8
100000
代理渠道/只做原装/可含税
VISHAY(威世)
24+
PowerPAK-SO-8
9908
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
V1SHAY
24+
PowerPAKSO-8
22238
原装正品现货库存假一赔十欢迎询价
VISHAY/威世
23+
PAKSO-8
7000
VISHAY(威世)
2447
PowerPAK SO-8
105000
3000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,
Vishay(威世)
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23+
QFN
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原厂封装
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原装进口公司现货假一赔百
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21+
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