SIR770DP-T1-GE3价格

参考价格:¥3.0707

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SIR770DP-T1-GE3

Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

文件:514.88 Kbytes Page:18 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SIR770DP-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIR770DP-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 30V 8A/8A DUAL N-CH MOSFET w/Shottky

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-23 14:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
24+
QFN
39197
郑重承诺只做原装进口现货
V1SHAY
24+
PowerPAKSO-8
12525
原装正品现货库存假一赔十欢迎询价
VISHAY
20+
DFN-8
3675
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DFN5x6-8L
20300
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VISHAY
/
POWER PAK
19
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Vishay(威世)
2021/2022+
标准封装
6500
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
NK/南科功率
2025+
DFN5060
986966
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VISHAY
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VISHAY(威世)
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