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SIHF30N60E价格
参考价格：￥19.7921
型号：SIHF30N60E-E3 品牌：Vishay 备注：这里有SIHF30N60E多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SIHF30N60E批发/采购报价，SIHF30N60E行情走势销售排行榜，SIHF30N60E报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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SIHF30N60E | E Series Power MOSFET FEATURES • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Reduced switching and conduction losses • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
SiHF30N60E | E Series Power MOSFET | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
SIHF30N60E | E Series Power MOSFET 文件：163.07 Kbytes Page：8 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
SIHF30N60E | E Series Power MOSFET 文件：184.07 Kbytes Page：8 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
SIHF30N60E | iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：319.94 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | |
E Series Power MOSFET FEATURES • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Reduced switching and conduction losses • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
E Series Power MOSFET 文件：163.07 Kbytes Page：8 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
E Series Power MOSFET 文件：184.07 Kbytes Page：8 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
E Series Power MOSFET 文件：163.07 Kbytes Page：8 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
E Series Power MOSFET 文件：163.07 Kbytes Page：8 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
BIDW30N60T Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) General Information The Bourns® Model BIDW30N60T IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteris | Bourns 伯恩斯 | | ||
Low Loss DuoPack: IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diode 文件：1.9827 Mbytes Page：16 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：281.61 Kbytes Page：4 Pages | DACO 罡境电子 | | ||
N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：264.01 Kbytes Page：4 Pages | DACO 罡境电子 | |
SIHF30N60E产品属性
- 类型
描述
- 型号
SIHF30N60E
- 制造商
VISHAY
- 制造商全称
Vishay Siliconix
- 功能描述
E Series Power MOSFET
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
25+ |
TO-220F |
32360 |
VISHAY/威世全新特价SIHF30N60E-GE3即刻询购立享优惠#长期有货 |
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VISHAY |
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原厂封装 |
9800 |
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Vishay(威世) |
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23+ |
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50000 |
原装正品 支持实单 |
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VISHAY/威世 |
2023+ |
SMD |
92500 |
一级代理优势现货,全新正品直营店 |
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深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机：17727572380 。 电 话：0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号：15096137729
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2019-12-7
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