类别
分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
制造商
Vishay Siliconix
系列
E
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
550 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
380 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
50 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
886 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
114W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TA)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
SIHD12