制造商 VISHAY/威世
数据列表 SIHG64N65E
标准包装 500
包装 管件
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 650V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 64A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 369nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 7497pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 520W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
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