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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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SID04N60-C | 丝印代码：04N60；N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 文件：244.02 Kbytes Page：3 Pages | SECOS 喜可士 |   | |
SID04N60-C | MosFET | SECOS 喜可士 | | |
Fast IGBT in NPT-technology Fast IGBT in NPT-technology • 75 lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for: - Motor controls - Inverter • NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution | INFINEON 英飞凌 | | ||
Fast IGBT in NPT-technology Fast IGBT in NPT-technology • 75 lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for: - Motor controls - Inverter • NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution | INFINEON 英飞凌 | | ||
Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode • 75 lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for: - Motor controls - Inverter • NPT-Technology for 600V applications | INFINEON 英飞凌 | | ||
Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode • 75 lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for: - Motor controls - Inverter • NPT-Technology for 600V applications | INFINEON 英飞凌 | | ||
POWER MOSFET 文件：329.86 Kbytes Page：7 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机：17727572380 。 电 话：0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号：15096137729
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2019-12-3SIDACtor?大功率100A、6V保护晶闸管-PxxxxS4xLRP系列
Littelfuse 的 SIDACtor 用于保护设备免受过电压瞬变的损害
2019-9-6
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