SiC功率元器件Si功率元器件IGBT

发布企业:深圳市正纳电子有限公司时间:2020-3-24 18:15:00

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SiC功率元器件 Si 功率元器件 IGBT SiC物理特性 功率元器件 功率半导体 碳化硅

碳化硅(SiC)是比较新的半导体材料。一开始,我们先来了解一下它的物理特性和特征。

SiC的物理特性和特征

SiC是由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体材料。其结合力非常强,在热、化学、机械方面都非常稳定。SiC存在各种多型体(多晶型体),它们的物理特性值各有不同。4H-SiC最适用于功率元器件。下表为Si和近几年经常听到的半导体材料的比较。

SiC比Si的绝缘击穿场强高约10倍,可耐600V~数千V的高压。此时,与Si元器件相比,可提高杂质浓度,且可使膜厚的漂移层变薄。高耐压功率元器件的电阻成分大多是漂移层的电阻,阻值与漂移层的厚度成比例增加。因为SiC的漂移层可以变薄,所以可制作单位面积的导通电阻非常低的高耐压元器件。理论上,只要耐压相同,与Si相比,SiC的单位面积漂移层电阻可低至1/300。

Si 功率元器件为改善高耐压化产生的导通电阻増大问题,主要使用IGBT(绝缘栅极双极晶体管)等少数载流子元器件(双极元器件)。但因为开关损耗大而具有发热问题,实现高频驱动存在界限。由于SiC能使肖特基势垒二极管和MOSFET等高速多数载流子元器件的耐压更高,因此能够同时实现 “高耐压”、“低导通电阻”、“高速”。

此时,带隙是Si的约3倍,能够在更高温度下工作。现在,受封装耐热性的制约可保证150℃~175℃的工作温度,但随着封装技术的发展将能达到200℃以上。

BM2SCQ124T-LBZ

BM2SCQ12xT-LBZ、BM2SCQ124系列

BM2SCQ123T-LBZ

BM2SCQ12xT-LBZ、BM2SCQ123系列

BM2SCQ122T-LBZ

BM2SCQ12xT-LBZ、BM2SCQ122系列

BM2SCQ121T-LBZ

BM2SCQ12xT-LBZ、BM2SCQ121系列

SCT2H12NZGC11

SCH2080KEC

SCH2080KE系列

SCT2160KEC

SCT2280KEC

SCT2280KE

SCT2450KEC

SCT2450KE

C2M0040120D C2M0080120D C2M0025120D