型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SGB04N60

Fast IGBT in NPT-technology

Fast IGBT in NPT-technology • 75 lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for: - Motor controls - Inverter • NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution

Infineon

英飞凌

SGB04N60

Fast IGBT in NPT-technology 75 lower Eoff compared to previous generation

文件:792.59 Kbytes Page:11 Pages

Infineon

英飞凌

Fast IGBT in NPT-technology 75 lower Eoff compared to previous generation

文件:792.59 Kbytes Page:11 Pages

Infineon

英飞凌

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.94923 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Power MOSFET

文件:1.94027 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Power MOSFET

文件:1.94029 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

文件:62.82 Kbytes Page:5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

文件:64.16 Kbytes Page:5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

SGB04N60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SGB04N60

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 4A

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-28 11:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
EPCOS/BOURNS/SK/BK
23+
SMD1812
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
24+
N/A
56000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
英飞凌
12+
TO-263
15000
全新原装,绝对正品,公司现货供应。
TOS
23+
SOP
50000
全新原装假一赔十
INFINEON/英飞凌
22+
TO-247
15000
英飞凌MOS管、IGBT大量有货
INFINEON
23+
PG-TO263-3
8000
只做原装现货
JINGDAO/晶导微
23+
SMA(DO-214AC)
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
Infineon(英飞凌)
2447
PG-TO263-3
315000
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
INFINEON
25+23+
TO-263
19073
绝对原装正品全新进口深圳现货
Infineon(英飞凌)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持

SGB04N60数据表相关新闻