型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SGD04N60

Fast IGBT in NPT-technology

Fast IGBT in NPT-technology • 75 lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for: - Motor controls - Inverter • NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution

Infineon

英飞凌

SGD04N60

Fast IGBT in NPT-technology 75 lower Eoff compared to previous generation

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Infineon

英飞凌

SGD04N60

Power MOSFET

文件:1.07623 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:管件 描述:IGBT 600V 9.4A 50W TO252-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

Power MOSFET

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微碧半导体

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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A-POWER

富鼎先进电子

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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A-POWER

富鼎先进电子

SGD04N60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SGD04N60

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 4A

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-17 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
22+
SOT-252
100000
代理渠道/只做原装/可含税
VBsemi
24+
TO252
18000
假一赔百原装正品价格优势实单可谈
INFINEON
24+
P-TO252-3-1
8866
INFINEON/英飞凌
25+
TO-252
2226
全新原装正品支持含税
INFINEON
18+
SOT252
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
INFINEON
23+
PG-TO252-3
6800
只做原装正品现货
VBsemi
21+
TO252
10010
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
INFINEON/英飞凌
24+
SOT-252
17290
原装进口假一罚十
INFINEON/英飞凌
2022+
PG-TO252
12888
原厂代理 终端免费提供样品
Infineon Technologies
21+
PG-TO252-3
2500
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)!

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