SIA519EDJ-T1-GE3

发布企业:深圳市科雨电子有限公司时间:2023-2-14 17:50:00

企业深圳市科雨电子有限公司

联系人:刘小姐

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地址:深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2418室

优势渠道

Product Status

在售

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

N 和 P 沟道

FET 功能

逻辑电平门

漏源电压(Vdss)

20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

4.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)

40 毫欧 @ 4.2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

12nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

350pF @ 10V

功率 - 最大值

7.8W

工作温度

-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

PowerPAK® SC-70-6 双

供应商器件封装

PowerPAK® SC-70-6 双

基本产品编号

SIA519

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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