发布企业：深圳市科雨电子有限公司时间：2023-2-14 17:50:00
Product Status
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
40 毫欧 @ 4.2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
350pF @ 10V
功率 - 最大值
7.8W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
PowerPAK® SC-70-6 双
供应商器件封装
PowerPAK® SC-70-6 双
基本产品编号
SIA519
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 |  |   |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SIA519EDJ-T1-GE3 | VISHAY | 2024+ | N/A | 70000 | 柒号只做原装 现货价秒杀全网 | ||
SIA519EDJ-T1-GE3 | Vishay(威世) | 2405+ | PowerPAK SC-70-6 | 50000 | 只做原装优势现货库存,渠道可追溯 | ||
SIA519EDJ-T1-GE3 | Vishay(威世) | 25+ | N/A | 8800 | 公司只做原装,详情请咨询 | ||
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SIA519EDJ-T1-GE3 | VISHAY/ | 24+ | QFN6 | 5000 | 十年沉淀唯有原装 | ||
SIA519EDJ-T1-GE3 | Vishay(威世) | 24+ | N/A | 11800 | 可配单提供样品 | ||
SiA519EDJ-T1-GE3 | VISHAY/威世 | 24+ | QFN | 37935 | 郑重承诺只做原装进口现货 | ||
SIA519EDJ-T1-GE3 | VISHAY | 2022+PB | QFN6 | 3530 | |||
SIA519EDJ-T1-GE3 | VISHAY | 2024+ | SC-70-6 | 500000 | 诚信服务,绝对原装原盘 |
